2008年ASML年度研究成果發布大會特別報導

突破疊對/光阻關鍵瓶頸 雙重成像/EUV技術再上層樓

作者: 王智弘
2008 年 11 月 14 日
雙重成像已是浸潤式微影機台實現32奈米晶片製造的重要技術,但仍面臨成本過高等挑戰。如今,ASML新式晶圓平台設計架構已可成功提高疊對精準度與生產力。此外,ASML也與合作夥伴成功投產以EUV開發的測試晶片,向22奈米節點挺進一大步。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

建築景觀/商業應用需求興 LED照明市場前景耀眼

2008 年 09 月 24 日

聯網電視話題延燒 家用無線娛樂裝置紛出籠

2010 年 07 月 15 日

可彎折觸控感測器出爐 三星YOUM面板量產有譜

2012 年 05 月 17 日

嵌入式系統智慧化商機旺 MCU廠升級eFlash製程

2013 年 08 月 15 日

出廠內建DNA 嵌入式加密晶片可抗破解

2024 年 01 月 05 日

非x86陣營搶進AI PC 生態系成熟度定勝負(2)

2024 年 01 月 07 日
前一篇
伊頓宣布近期收購飛瑞
下一篇
飛思卡爾降低入門款車輛儀表叢集成本/複雜度