2008年ASML年度研究成果發布大會特別報導

突破疊對/光阻關鍵瓶頸 雙重成像/EUV技術再上層樓

作者: 王智弘
2008 年 11 月 14 日
雙重成像已是浸潤式微影機台實現32奈米晶片製造的重要技術,但仍面臨成本過高等挑戰。如今,ASML新式晶圓平台設計架構已可成功提高疊對精準度與生產力。此外,ASML也與合作夥伴成功投產以EUV開發的測試晶片,向22奈米節點挺進一大步。
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